英飛凌推出適用於太空的抗輻射加固設計NOR快閃記憶體

512 Mbit抗輻射加固設計QSPI NOR FLASH。英飛凌

英飛凌科技股份有限公司推出512 Mbit抗輻射加固設計QSPI NOR快閃記憶體，適用於太空和極端環境應用。這款半導體元件採用快速四串列週邊介面（133 MHz），具有極高的密度、輻射和單次事件效應效能，是一款完全通過QML認證的非揮發性記憶體，可與太空級FPGA和微處理器配合使用。

這款新元件由美國空軍研究實驗室太空飛行器局（AFRL）資助，並與Microelectronics Research Development公司（Micro-RDC）共同開發而成。它基於英飛凌經過實際驗證的SONOS電荷閘阱技術，運行速度較低密度替代品提高多達30%。

AFRL太空電子技術專案經理Richard Marquez表示，「下一代太空級系統的設計者對高可靠性、高密度記憶體的需求不斷成長。我們與英飛凌、Micro-RDC等產業領導者合作，共同開發出一種集高密度、高資料傳輸速率與優於替代品的輻射效能於一身的技術解決方案。」

Micro-RDC總裁Joseph Cuchiaro表示，「英飛凌的抗輻射加固設計NOR FLASH極佳地補充了Micro-RDC的極端應用環境解決方案系列。隨著512 Mbit密度元件的推出，設計人員能夠設計出效能卓越的系統，以滿足比以往更廣泛任務類型的嚴格要求。」

英飛凌航太與國防業務副總裁Helmut Puchner表示，「此次英飛凌512 Mbit NOR FLASH家族擴展至抗輻射加固記憶體產品組合，進一步證明了我們致力於提供高度可靠、高效能記憶體來滿足下一代太空需求的承諾。與AFRL和Micro-RDC的合作推動了產業領先技術的發展，透過採用提高關鍵衛星功能效能的技術，來應對太空應用中遇到的極端環境。」

英飛凌的SONOS技術獨特地結合了密度和速度以及先進的抗輻射效能，具有高達10,000P/E的出色耐用性和長達10年的資料保存期。

該產品的133 MHz QSPI介面為太空級FPGA和處理器提供了高資料傳輸速率，並採用佔板面積1”x 1”的陶瓷 QFP（QML-V），以及佔板面積更小的0.5”x 0.8”塑膠 TQFP（QML-P）兩種封裝。

此外，該元件還為太空FPGA引導代碼解決方案提供了最高密度的TID/SEE效能組合。其QML-V/P封裝獲得DLAM認證，能夠滿足最嚴格的業界資格認證要求。新型英飛凌512 Mbit QML認證NOR FLASH已上市。更多資訊，請瀏覽英飛凌網站查詢。