英飛凌攜手英飛源拓展新能源汽車充電市場

英飛凌將為英飛源提供1200 V CoolSiC MOSFET功率半導體元件，提升電動汽車充電站的效率。英飛凌

基於碳化矽（SiC）的功率半導體具有高效率、高功率密度、高耐壓和高可靠性等諸多優勢，為實現新應用和推進充電站技術創新創造了機會。英飛凌宣布與中國的新能源汽車充電市場領軍企業英飛源（INFY）達成合作。英飛凌將為英飛源提供業內領先的1200 V CoolSiC MOSFET功率半導體元件，用於提升電動汽車充電站的效率。

英飛凌零碳工業功率事業部總裁Peter Wawer博士表示：「英飛凌與英飛源在電動汽車充電解決方案領域的合作，將為當地電動汽車充電產業提供出色的系統級技術解決方案。它將大幅提高充電效率，加快充電速度，並為電動汽車車主創造更好的用戶體驗。」

英飛源中國區總裁邱添泉表示：「透過與在SiC產品領域持續精進20年以上並擁有強大整合技術實力的英飛凌合作，英飛源將通過採用最先進的產品製程和設計解決方案，繼續鞏固並保持其在產業中的技術領先地位。我們還可以為新能源汽車直流充電解決方案的充電效率樹立新的標竿，從而為客戶創造更多便利和獨一無二的價值，促進電動汽車充電產業的健康發展。」

由於擁有高功率密度，SiC適用於開發高效能、輕量且緊湊的充電解決方案，這對超級充電站及超緊湊壁掛式直流充電樁尤為有益。SiC技術相比傳統的矽技術可將電動汽車充電站的效率提高1%，從而降低了能耗和營運成本。以一座100 kW的充電站為例，這意味著節省1 kWh電能，每年節省270歐元成本，以及減少3.5噸碳排放。這將大幅推動SiC功率元件在電動汽車充電模組中的應用。

作為最早將溝槽閘技術用於電晶體的SiC功率半導體製造商之一，英飛凌推出了幫助提高充電解決方案可靠性的先進設計。這些元件具有高閾值電壓，並簡化了閘極驅動。CoolSiC MOSFET技術在上市前已通過馬拉松應力試驗及閘極電壓跳變應力試驗，並在上市後定期進行監控，以確保擁有最高閘極可靠性。

採用英飛凌1200 V CoolSiC MOSFET，使得英飛源的30 kW直流充電模組能夠實現寬恆功率範圍，高功率密度，最小電磁輻射和干擾，高保護效能，以及高可靠性。這使其不僅能夠滿足大多數電動汽車的快速充電需求，還能實現比市場上的其他解決方案高出1%的效率。這有助於大幅降低能耗和碳排放，達到全球領先水準。