突破高效能AI多晶片封裝的瓶頸

歡迎蒞臨SEMICON Taiwan 2026成真公司展位，探索以玻璃基板為基礎的AI系統封裝解決方案！成真

想知道如何解決玻璃通孔（Through Glass Via；TGV）製造過程中的微裂縫問題嗎？如何提供1,000 瓦（W）， 1伏特（V）與1000 安培（A）的電力給AI多晶片封裝的IC晶片嗎？如何增加玻璃面板尺寸以製造AI多晶片封裝嗎？誠摯地邀請您蒞臨Semicon Taiwan 2026成真公司攤位（南港展覽館1館4樓 M0957）探索這些問題。

由於玻璃基板具備優異的熱、機械與電氣特性，已成為高效能AI多晶片封裝極具潛力的平台。在2025年Semicon Taiwan 2025上，成真公司展出了聚合物通孔連接器（Through Polymer Via connector；TPV connector），提供內含垂直金屬通道（vertical metal interconnect）的玻璃核心（Glass Core）新技術；此玻璃核心可以用於玻璃中介層（Glass Interposer）及BGA基板，用來解決TGV製造時在玻璃基板產生的微裂縫問題。

在今（2026）年Semicon Taiwan 2026，成真公司將展示多項創新解決方案，為高效能 AI 多晶片封裝中的半導體 IC 晶片提供1,000瓦（W）、1伏特（V）及1,000安培（A）的電力。這些解決方案包括：於玻璃基板中嵌入銅塊（Embedded Cu Block），作為電源（power supply）的垂直傳輸通道。將電壓轉換器／電壓調節器（Voltage Converter/Regulator；VCR）晶片封裝於AI多晶片封裝中，使封裝能夠輸入高電壓電源（例如48V），並利用以銅塊為基礎的低電阻供電系統輸入VCR，VCR再將高電壓（例如48V）降至低電壓（例如1V），以供多晶片封裝中的半導體IC晶片使用。

於玻璃基板上方的金屬連線架構（Frontside Interconnection Scheme）中嵌入矽橋（Si Bridge）、深溝槽去耦電容（Deep-Trench Decoupling Capacitor；DTC）及VCR晶片，提升系統整合能力並簡化封裝製程。於AI多晶片封裝邊緣配置電性／光學連接器（Electrical/Optical Connectors），取代傳統AI多晶片封裝底部的焊錫凸塊（Solder Bumps），作為與外部電路的連接。

基於上述的創新技術與架構，成真公司開創了多晶片封裝的新時代，成功將摩爾定律延伸至玻璃基板系統封裝時代，加速高效能運算與AI應用的全面發展。