永銘與納微半導體配合 IDC3牛角電容推動AI伺服器電源邁向更高功率

8.5kwAI伺服器電源。Navitas Semiconductor

在AI伺服器邁向更高算力的進程中，電源供應器的高功率與小型化成為關鍵挑戰。 2024年，納微推出GaNSafe氮化鎵功率晶片及第三代碳化矽MOSFETs，意法半導體推出新型矽光技術PIC100、英飛凌推出CoolSiC MOSFET 400 V，皆為提升AI伺服器的電源功率密度。

隨著電源功率密度的持續攀升，被動元件需同時滿足小型化、大容量、高可靠性的嚴苛要求。上海永銘電子股份有限公司（以下簡稱永銘）與各合作夥伴深度配合，致力於為更高功率的AI伺服器電源打造高效能電容器解決方案。

PART 01永銘與納微深度配合 協同創新

面對電源系統對核心元件的小型化設計與超高能量密度提出的雙重挑戰，永銘持續投入研發與創新，經過不斷的技術探索與突破，最終成功開發出高壓牛角型鋁電解電容IDC3系列，成功應用於氮化鎵功率晶片領導者納微發布的4.5kW、8.5kW電源方案電源方案中高密度。

PART 02 IDC3牛角電容核心優勢

IDC3系列作為永銘專為AI伺服器電源推出的高壓牛角型鋁電解電容，透過12項技術革新，不僅擁有耐大紋波電流特點，更是在同體積下做到了更大容量，滿足了AI伺服器電源對空間與性能的嚴苛需求，為高功率密度電源方案提供了可靠的核心支援。

針對AI伺服器電源功率密度提高，伴隨空間不足的問題，IDC3系列大容量的特性確保穩定的直流輸出，提升電源效率，支援AI伺服器電源進一步提升功率密度。相較常規產品，較小的尺寸特點保證其能夠在有限的PCB空間中提供更高的能量儲存和輸出能力。目前，相較於國際頭部同行，永銘IDC3系列高容量密度牛角電容在同規格的產品中體積縮減25%-36%。

耐大漣波電流

針對AI伺服器電源高負載下散熱和可靠性不足的情況，IDC3系列具備更強的紋波電流承受能力和低ESR的表現，紋波電流承載值相較於常規產品提升20%，ESR值相較於常規產品降低30%，使得在相同條件下溫升更低，從而提高了可靠性和壽命。

長壽命

在105℃高溫環境下壽命達3000小時以上，特別適合不間斷運轉的AI伺服器應用場景。

IDC3系列牛角電容成為解決AI伺服器電源痛點的關鍵秘鑰。其在納微4.5kw、8.5kw AI伺服器電源方案中的成功應用，不僅驗證了永銘在高能量密度與小型化設計領域的領先技術實力，更為AI伺服器電源的功率密度提升提供了關鍵支撐。

適用場景：適用於高功率密度、小型化的AI伺服器電源方案
產品認證：獲得AEC-Q200的產品認證、第三方國際機構的可靠性認證。

永銘也將持續深耕電容技術，為各合作夥伴提供更優質、更有效率的電容器解決方案，共同攜手突破AI伺服器電源功率密度極限，面向即將到來的12kw乃至更高功率AI伺服器電源時代。如果想要了解更多永銘產品的信息，歡迎聯繫至永銘。