愛德萬測試發表T5801超高速記憶體測試系統 助攻次世代DRAM元件

愛德萬測試發表T5801超高速記憶體測試系統，助攻次世代DRAM元件。新平台配置靈活、速度、效能、準確度無與倫比。愛德萬測試

半導體測試設備領導供應商愛德萬測試 (Advantest Corporation) (TSE:6857) 2月12日隆重發表T5801超高速DRAM測試系統。這套尖端的平台專為支援GDDR7、LPDDR6和DDR6等高速記憶體最新技術而設計，關鍵在於滿足人工智慧 (AI)、高效能運算 (HPC) 和邊緣應用等不斷成長的需求。

日益複雜且高速的記憶體技術正推動資料中心與AI效能發展持續突破，最新T5801平台正是為了因應此挑戰而誕生，為最高速度的記憶體元件實現精準、有效率的大量測試。這套採用創新前端單元測試 (FEU) 架構的系統，專門針對次世代DRAM模組的嚴格需求，能達到領先業界的36Gbps PAM3與18Gbps NRZ優異效能。

愛德萬測試ATE事業群記憶體測試事業本部長鈴木雅之指出：「隨著AI加速器與邊緣運算持續演進，記憶體頻寬將成為整體系統效能的發展瓶頸， T5801協助我們的顧客以準確、快速又可靠的方式驗證次世代DRAM 效能，確保他們的產品能快速上市。」

T5801平台建立在愛德萬測試領先市場的DRAM測試解決方案基礎之上，包括已獲驗證的T5503系列與V93000HSM系統。T5801支援PAM3，創下JEDEC標準DRAM首例，凸顯它因應GDDR7等記憶體創新的實力，也是想在所有AI環境實現超低延遲表現的關鍵。

T5801可擴充的測試基礎架構能做到從工程研發到生產流程的無縫接軌，提供靈活配置，並與現有分類機和介面完全相容。T5801 DRAM測試系統目前已獲部分記憶體戰略客戶採用，預計2026年初於全球市場推出。

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