嵌入式邏輯的發展潛力
常聽到的是嵌入式記憶體,一個典型的28/40nm的MCU因應用的需求常配有2 Mb的嵌入式非揮發性記憶體。但到28nm以下eFlash已無法再微縮,即使容量不大,但占晶片面積的比例卻往往已高達數十%,這是新興嵌入式非揮發性記憶體如eRRAM、eMRAM應運而生的理由。這些新興嵌入式非揮發性記憶體的每位元尺寸較小,在過去幾年每位元面積大概是50倍的最小製程尺度平方。由於材料的特性如磁各向異性能(magnetic anisotropy energy)的快速提升,目前可達到的尺度還在急速縮小之中,大概有機會與矽的製程節點最終趨於一致。