歐盟的半導體發展策略

之前談過美國、日本、南韓三國的半導體發展策略，12月歐盟會議也做出決議，由法、義、德、英29家公司共同研發半導體5個項目，至2024年止由參與國政府支持17.5億歐元。

歐洲半導體從來不是強項，現在說得上名字的大廠只有英飛凌(Infineon)和意法半導體(STMicroelectronics)。這兩家產品集中於功率元件與車用電子，只是比例上略有不同。既然在先進邏輯製程和記憶體技術失去了動量，集中精力於己長以及應用面的考量，似乎是政策的必然。

這5項領域分別為功率半導體、節能晶片、智慧感測器、先進光學設備，還有化合物材料。

這裡面比較費解的是第四項先進光學設備，但是從參與計畫的兩家德國公司Carl Zeiss與Advanced Mask Technology Center (AMTC)來看，講的大概不是如矽光子類的晶片，而真的是光學機器設備。AMTC的產品是光罩，Carl Zeiss大家的印象是鏡片和相機，但是Carl Zeiss也是ASML在EUV的策略夥伴、並且也製造光罩卻是較少為人知的。有趣的是ASML並未參加此一項目，這是業界常態，也就是最強的公司毋需政府照拂。

第一項節能晶片是過去所有行動器具晶片的共同要求，譬如DRAM中的LP DDR4講的就是低功率介面，同樣的需求還有未來的IoT。有趣的是計畫引用的應用例子單為車用半導體。

笫二項功率半導體過去德、日二分天下，尤其英飛凌過去的DRAM技術以挖深溝(trench)見長，在功率元件的製程技術上亦頗為受用。計畫的目標為改進可靠性，即功率元件永久的命題，應用為智慧家電，以及，又是車用電子。這個項目的中低階產品預計未來會受中國大陸強烈的衝擊。中國大陸的功率元件自給率比平均IC的自給率還低，只有10%，進口替代成為政策目標，受到政策影響的，就是德、日這兩個功率元件大國。

第三項感測器主要是改善光學、行動和磁場感測器的效能和精確度，應用的對象仍是車用電子。

第五項化合物材料(compound materials)是指取代矽的化合物，大陸稱之為第三代半導體。目前主要的候選人為SiC與GaN這兩種寬帶隙材料；前者耐高壓，後者速度快。這是功率元件的下世代產品，在高壓、高電流、低功耗、散熱、面積和速度上都期待比矽基功率元件要有所提升。參加這項目的公司看來獨缺英飛凌，想來與ASML在光學設備缺席的原因相仿。功率半導體與化合物半導體的應用領域利潤最高的都是引擎蓋下(under the hood)的原廠設備(OE)元件，對於可靠性的要求極為嚴苛，要達ppb等級。這個項目主要應用領域也是車用電子。

從歐盟支持的政策可以看到3個想法。一是鞏固自己的強項，拉大差距。再者，應用集中，主要在車用電子和新能源。第三則是由半導體製造向上、下游兩邊推進，上游是材料和機器設備，下游是應用。這都是後摩爾定律時代半導體增值的幾種基本策略。

美日韓歐都表態了，台灣的集體努力方向呢？