DRAM技術大轉彎

據韓媒Kinews等的報導，三星2018年下半原計劃對DRAM及NAND Flash進行新投資，日前傳出將延至2019年，取而代之的是對現有產線進行補強投資，期望獲利維持一定水準。SK海力士2018年下半，則是將投資重心集中於NAND Flash，NAND Flash新廠投資進度正在加速，DRAM只會進行小規模補強與轉換投資。(參見DIGITIMES《南韓記憶體廠重整投資步伐　三星DRAM新產線投資放緩、SK海力士加速NAND Flash新廠量產》)

這則新聞其實是意料中的事，但卻不是因為公司宣稱的市場因素，也不是媒體所猜測的大陸DRAM產能將陸續釋出的緣故。要講究，我猜是技術面的原因。

多年前我負責公司的技術授權和技術共同開發談判，技術共同開發一向難談，因為這是雙方核心利益，可是那次對方居然爽快的答應了。在談判桌上輕易得來的利益要戒慎恐懼，因為其中可能藏有視野之外的死角。想了很久才想明白，對方已有另外的技術驅動(technology driver)產品，而我們所談的技術合作產品整整落後兩個世代，是無關緊要的副產品，是以好談。事後產業的發展態勢果然也一如預期。

回看這則新聞，單純從市場面看是有點反智的。DRAM市場目前價格並不差，反倒是NAND的價格還在持續滑落中。擴大價格低落的產品線，不是拿石頭砸自己的腳嗎？但是技術才是高科技產業的核心競爭力，看新聞得從這角度。3D Flash目前技術在96層，但是技術路標的能見度已至512層－3D Flash做為高科技產業的技術、產品還可長可久，投資於此，理所當然。

DRAM製程推進已很緩慢，目前的製程是1y，有EUV的助力，也許可以推進到1z，但是1a呢？很多人持疑。即使可以，也是投資甚鉅、所得甚微的最後努力。對於一個商業公司，最合理的是採取收割策略，少量投資，改善良率，並且利用韓國機器設備3年折舊的制度，在未來的DRAM市場持續保有價格優勢，獲得最大利益。

DRAM自然也不會從此就從市場上消失。在CPU與NAND Flash的速度還存有巨大落差，這是目前記憶體體制(memory hierarchy)的現況。所以合理的情境是已有新興記憶體(emergent memories)的技術已接近成熟，可以填補這個區位，是以兩家大廠膽敢停止於DRAM的投資。從目前各新興記憶體的技術進展來看，讀寫速度都已紛紛進入10ns的目標區，而且不需要更新電流(refresh current)，於功耗問題大有好處。這些技術也都可以3D堆疊，在每位元價格上，遲早能跟DRAM競爭。所以我的臆測是這樣的投資型態意味著新型態記體快要問世了。

另外一個附帶的小問題是：對於目前急於踏入DRAM市場競逐的新廠商，營運計劃中對這可能存在的產業大轉彎，你們可有plan B？