印度半導體獎勵政策與發展策略（一）：獎勵政策與發展意向

印度內閣在2022年9月21日發布〈Modified Programme for Development of Semiconductor and Display Manufacturing Ecosystem in India〉，用以支援其成為電子系統設計及製造（Electronics System Design and Manufacturing；ESDM）的世界樞紐（global hub）願景。

企業投資印度的常有顧慮之一，乃基礎建設不足問題，則由於2020年4月1日公布的〈Modified Electronics Manufacturing Clusters Scheme〉（EMC 2.0）及其中的Common Facilities Center（CFC）來支持。

先說基礎建設不足的問題，單只是政策及補助是不容易見成效的，因為基礎設施有很多部分不單只是投資可以解決的。譬如半導體所需要的高壓線及水源，廢水、廢棄物處理，乃至於環保法規，都需要公權力的行使。這個部分由政府主動地作為先行啟動計畫、集中於一處提供較完整的產業基礎設施、形成聚落等，是比較有效率的作法，可以省卻投資者決策過程中的疑慮，並且加速投資決策後漫長的準備、申請程序。

此類作法早有成功的先例，譬如台灣的科學園區，或者是中國的一些高科新區，都是政府先完成基礎設施再招商，讓企業的考慮單純多了。

至於發展半導體產業的部分，這個獎勵條例可能有點誤導之嫌。

半導體與顯示器雖然享有部分類似製程，卻是兩個截然不同的產業，產業的業務模式競爭樣態差別甚大。不然也很難解釋為何中國在發展半導體和顯示器兩種產業，呈現截然不同的結果。將兩種產業的獎勵政策以分別的條例來規範是比較安全的做法。

印度有興趣的半導體製造領域包括幾類：

第一類是邏輯，雖說是所有技術節點政策都支援，現在看來40奈米僅是可以接受，目標應該放在28奈米；

第二類包括化合物半導體、矽光子、感測器（包括MEMS）和離散元件（以下統稱特殊產品類）；

第三類是封測。

對線路設計另有獎勵辦法，包括對獎勵設計產業基礎設施（infrastructure）的〈Design Linked Incentive Scheme〉條例，補助設計相關支出的50%；以及支持設計實施（deployment）的〈Deployment Linked Incentive〉，補助淨銷售金額的4~6%。

印度電子與半導體協會（India Electronics and Semiconductor Association；IESA）對政府的建議是依次發展封測廠、特殊產品廠，最後才及於先進製程廠，由易至難，看起來井然有序。先進製程方面，IESA建議聚在28奈米上，這是摩爾定律發展過程中每一個電晶體製造成本最低的製程。

先發展封測的原因是投入較少、僱用較多人數，次而特殊產品的原因是因為這些工藝過去的發展期較短，比較有機會迎頭趕上。

但是，如此簡化的觀點顯然忽略規劃產業發展應考慮入的細節。

誠然，特殊產品的工藝有很多是8吋廠的製程，在傳統半導體的製造工藝上看來並不太困難。但是這此特殊產品的晚出現，也有它的道理。

譬如化合物半導體的SiC，出現在軍用電子產品已有多年，但是SiC晶圓生產困難，良率較低，以至於現在用SiC做的功率元件，其晶圓成本還佔元件製造成本的一個相當百分比。類似這樣的例子不勝枚舉。也就是說，單只是從半導體製程的先進與否來探討產業發展策略，並非是一個全面的衡量標準。製程簡單而晚出現的產品自然是有其他的障礙妨礙它的問世，所以要進入這些領域要有其他投入的準備，譬如半導體材料的研究與開發。即使被視為第一步的封測，也要有類似的心理準備。