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材料科學與工程的典範移轉—兼論政府政策與內部研發策略

2011年美國國家科學技術委員會與科學技術辦公室共同發布了材料基因圖譜計畫(Materials Genome Initiative；MGI)，目的在於加速材料科學與工程的發展、降低開發成本。

2019：區塊鏈的「接地」或「墜地」元年？

最近一群朋友聚會，會中聊起區塊鏈，研究單位朋友們問起我對2019年區塊鏈發展看法。我笑了笑說，「大概跟2018比起來，不會有太多變化。」為什麼呢？請聽我道來。

延長摩爾定律的二維材料發展現況與挑戰

去年3月ASML在其投資者會議發表了一份半導體產業邏輯與記憶體的技術進程，預計在2022年半導體業界將到達3nm的製程。之後呢？2nm要到2030年，一個以往的典型一個世代進程居然要花8年之久！

太陽能可能不賣給政府嗎？　日本FIT問題成為再生能源自給自足的契機

固定價格購買制度(Feed in tariff; FIT)問題或FIT災民近半年成為日本太陽能市場的熱門名詞，10年前購買太陽能發電設備的住戶，今年即將面臨10年優惠賣電合約到期，屆時由自家太陽能板所產生的剩餘電力，販賣價格將從每度電42日圓貶至10日圓以下，大大減少太陽能的投資回報，因此有了FIT災民、FIT難民的說法流傳。

具潛力的奈米金屬導線材料：砷化鈮

這幾年奈米材料的進展在半導體及相關領域迅速開展，速度令人眩目驚心。先是去年下半年發現拓樸絕緣體(topological insulator)銻化鉍(BiSb)可以用來做為SOT MRAM的磁化翻轉機制導線材料，數量級的大幅降低所需電流與功耗、提昇寫入速度。3月底才於《Nature Materials》[1]發表的砷化鈮(NbAs)則對未來半導體深奈米金屬連線提供了極有潛力的材料。

打造「以人為本」的智慧城市

過去的智慧城市觀點：只要萬物皆連上網，並且互聯就會自動形成智慧城市。

SOT MRAM的原理與發展近況(二)

SOT MRAM既然使用了不同於STT MRAM的翻轉機制，在元件結構上也自然不同。STT MRAM的讀、寫電流均直接垂直通過MTJ；而SOT MRAM的讀取電流如舊，但寫入電流則依靠與自由層平行鄰接的材料中流過的電流，帶動二者界面上的自旋軌道作用所產生的轉矩，用以翻轉自由層的磁矩。

SOT MRAM的原理與發展近況(一)

最近pSTT MRAM逐漸在各大代工廠進入量產階段，初步的工程工作算是一個階段的完成。有時候pSTT MRAM又叫做第三代MRAM，代與代之間基本上是以翻轉磁矩的機制來區分的。

龍生龍鳳生鳳　談職場中的學習環境

前幾天在台科大演講「未來人才的學習力與軟體思維」，會後和幾位台科大教授餐敘，當中提到產學合作的現象以及在職場上員工訓練的問題，突然讓我想到幾年前在退休前幫公司領導階層寫了一份研發技術人才訓練的白皮書，我用的標題是「龍生龍，鳳生鳳，老鼠的兒子會打洞」，這個標題起因於我在訪問公司研發人員上過公司教育訓練課程後的感受，其中一位員工說，「Konrad，我們公司有錢，也請了很多很好的老師，我知道他們要教我成龍成鳳，但是當我回到座位上、每天都在打洞的時候，請問我怎麼成龍成鳳？」

記憶體運算的可能趨勢

依據von Neumann架構，計算機中記憶體和控制單元是分離的，這也是目前計算機及相關的半導體零件製造的指導方針。但是在目前海量資料的處理與儲存上，這樣的架構對資料的「讀取—處理—儲存」循環在資料傳送速度、功耗上形成重大挑戰。特別是記憶體本身因寫入速度、保留時間等的特性差異，從cache、DRAM、NAND等形成複雜層層相轉的記憶體體制(memory hierarchy)，讓資料的處理循環變得更長、更耗能。