相較於DRAM的積極投資，韓國雙廠在NAND的投資反而保守。關鍵在於DRAM的需求比NAND緊俏。但因NAND並非寡佔狀態，三星必須積極投資，而海力士也必須力爭上游。所以，各廠的投資都很積極，並往3D多層化的方向進展
與DRAM產業同樣的必須以良率在市場上競爭，加以十分耗電，因此小面積、大容量便成為競爭關鍵。2D的NAND Flash，在10xnm階段便遭遇技術壓力，因此三星、東芝向3D發展。相較於2017年，三星的資本支出會少一點點，但比起往年仍是大幅成長，而海力士、美光則是積極回應。
另一方面，目前三星以64層3D NAND為主力，下半年會推進到96層。英特爾/美光也將在2018年上半進入96層的技術規格，2018年中，也會將3D的比重提高到85%以上。
為擁有近40年資歷的產業分析師，一手創辦科技專業媒體DIGITIMES，著有《決勝矽紀元》、《矽島的危與機》、《東方之盾》、《斷鏈之後》、《科技島鏈》、《巧借東風》等多本著作。曾旅居韓國與美國，受邀至多家國際企業總部及大專院校講授產業趨勢，遍訪中國、歐美、亞太主要城市。
