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從功率SiC基板市場領頭羊到聲請破產 Wolfspeed面臨三大挑戰
 | SiC功率IDM布局G2供應鏈 歐系較美日系積極 |
| SiC與GaN IDM擴大布局歐美與星馬印 降低地緣政治壓力 |
中國SiC自主化已有明顯成效 然海外擴張仍須面臨歐美政策挑戰
| SiC功率IDM布局G2供應鏈 歐系較美日系積極 |
| GaN市場年增率突破4成 將與SiC共存進入高效供電時代 |
| GaN市場年增率突破4成 將與SiC共存進入高效供電時代 |
| 中國功率IDM擴大布局SiC與GaN 滿足內需商機並應對地緣政治壓力 |
1H25台系GaAs代工業受智慧型手機出貨成長、蘋果PA供應商轉單 有望增添營運動能
| 手機PA材料以GaAs為首選 2023年下半PA出貨有望回穩 |
| 1H23全球GaAs代工三雄營收年減已見緩和 |
| 中國功率IDM擴大布局SiC與GaN 滿足內需商機並應對地緣政治壓力 |
| SiC與GaN IDM擴大布局歐美與星馬印 降低地緣政治壓力 |
資料中心CPO趨勢將帶動InP需求增溫 手機通訊需求不明恐拖累GaAs
| 雷射元件於資料中心應用朝高傳輸速率發展 與矽光子晶片整合將為趨勢 |
| 2024年GaAs佔PA出貨量逾6成 物聯網及手機應用為主要推力 |
雷射元件於資料中心應用朝高傳輸速率發展 與矽光子晶片整合將為趨勢
| 光通訊模組構建類型眾多 InP有效提升資料傳輸距離且降低損耗 |
氮化鎵用於Micro LED與HEMT具備龐大商機 跨域合作並朝矽基開發將可改善良率並擴大應用
| 於應用領域各據一方 GaN功率產業兩派競局逐步成形 |
| 長晶及磊晶技術升級將擴大GaN功率及通訊半導體應用範圍 |
| 耐高功率兼具高能量轉換效率 SiC功率元件將瞄準充電樁和太陽能發電市場 |
| 中系SiC基板業者受政策與內需支持續擴大布局 電動車廠亦跨足SiC元件業務 |
碳化矽功率元件朝超接合面結構開發 MOSFET耐壓將提升至10,000V
| 碳化矽功率元件朝超接合面結構開發 MOSFET耐壓將提升至10,000V |
| 耐高功率兼具高能量轉換效率 SiC功率元件將瞄準充電樁和太陽能發電市場 |
