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搜尋關鍵字:矽基氮化鎵
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上刊時間:2004/03/03~2025-12/08
化合物/功率半導體
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化合物/功率半導體
高頻GaN與BDS技術助力英飛凌掌握高效電力轉換技術主導權
隨著AI資料中心電力需求持續攀升，電源系統正面臨高功率密度、低損耗與高效率的多重挑戰。傳統矽製程功率元件在高頻、高電壓環境下的表現逐漸逼近極限，推動第三代半導體GaN在資料中心、工業與航太等領域加速滲透。從產業布局觀察，GaN以高頻、高效率、高功率密度等特性，已成為下一世代電源轉換的重要材料...
王乙蓁
2025-12-01
化合物/功率半導體
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化合物/功率半導體
GaN市場年增率突破4成　將與SiC共存進入高效供電時代
DIGITIMES觀察，中高功率GaN技術持續成熟，10~100kW產品逐步完善，市場呈穩健成長趨勢。2025年首季年增率預估超過40%，顯示GaN應用需求持續升溫。業者積極強化高價值應用與專利布局，牽制彼此市場擴張。
王乙蓁
2025-03-31
化合物/功率半導體
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化合物/功率半導體
SiC與GaN IDM擴大布局歐美與星馬印　降低地緣政治壓力
DIGITIMES觀察，在電動車、儲能等新興應用商機驅動下，促使功率半導體業者(尤其市佔率高的IDM)擴大投資研發與製造設施，並透過美國《晶片與科學法案》(CHIPS and ....
王乙蓁
2024-12-17
化合物/功率半導體
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化合物/功率半導體
2024年GaAs佔PA出貨量逾6成　物聯網及手機應用為主要推力
DIGITIMES Research觀察，物聯網、智慧型手機等裝置所需功率放大器(Power Amplifier；PA)於訊號傳輸扮演關鍵角色，而由於物聯網出貨量(約180億個裝置)與智慧型手...
DIGITIMES研究團隊
2024-03-18
化合物/功率半導體
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化合物/功率半導體
於應用領域各據一方　GaN功率產業兩派競局逐步成形
DIGITIMES Research觀察，現行氮化鎵(GaN)功率元件多為矽基氮化鎵(GaN on Si)結構，隨中系IDM配合中國政府政策，且快速滲透小電壓(30~150V) 3C產品快充(fast c...
DIGITIMES研究團隊
2024-01-31
化合物/功率半導體
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化合物/功率半導體
長晶及磊晶技術升級將擴大GaN功率及通訊半導體應用範圍
DIGITIMES Research觀察，現行氮化鎵(GaN)功率半導體多以矽基氮化鎵(GaN on Si)異質磊晶為主，GaN通訊半導體則以碳化矽基氮化鎵(GaN on SiC)異質磊晶為主，結構...
DIGITIMES研究團隊
2023-11-06
化合物/功率半導體
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化合物/功率半導體
磊晶為化合物半導體關鍵製程　手機及光通訊終端帶動磊晶業發展
磊晶製程於化合物半導體供應鏈中極其重要，磊晶品質好壞決定後續元件生產及操作的重要關鍵。由於磊晶及基板多為兩種以上不同半導體材料，且內部結構容易因應力產生翹曲...
DIGITIMES研究團隊
2023-06-30
新興科技
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新興科技
零碳與節能推升電力電子需求　帶動Si及GaN功率元件性能發展
隨全球暖化趨勢日益嚴峻，如何於2050年達成零碳與節能目標逐漸成為各國及企業規畫上的共同願景與發展方向。為有效降低碳排，電力電子產業在電力、工業及交通等領域將扮...
DIGITIMES研究團隊
2023-02-09
化合物/功率半導體
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化合物/功率半導體
6G網路將延伸至非地面通訊　有助推升GaN通訊元件新需求
隨氮化鎵(GaN)通訊元件於製程及磊晶技術持續精進，將由現行散熱較佳的碳化矽基氮化鎵(GaN on SiC)結構，朝即將試產的GaN on GaN及磊晶品質改善後的矽基氮化鎵(GaN ...
DIGITIMES研究團隊
2023-01-17
化合物/功率半導體
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化合物/功率半導體
同質GaN功率元件具電源轉換優勢　將逐步滲透中高功率應用
現行氮化鎵(GaN)功率元件因異質磊晶結構，多數應用侷限在3C產品快充等中低功率終端場景中，GaN供應鏈業者為求擴展GaN功率元件使用至中高功率領域，製造商推出同質Ga...
DIGITIMES研究團隊
2022-11-28
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