中國曝光機發展現況：EUV
中國工信部宣布DUV訊息的同時，上海微電子也發布其2023年申請的EUV專利、2024年9月專利申請公開的消息。
上海微電子的EUV使用的也是現在商業主流的二氧化碳（CO2）雷射，波長為10.6奈米。鍚的液滴（droplet）先用釹釔鋁石榴石雷射（Nd:YAG laser）打成圓盤狀後，再被CO2雷射離子化（ionized）變成鍚電漿（plasma），然後其外層電子向低能量態躍遷（transition），釋出波長約為13.5奈米的光子。
之所以要用如此複雜的工序來產生EUV光源，是因為在此波長沒有自然的物質的能階差可以產生如此短的波長。選擇13.5奈米是因為波長再短一些，就變成X光（0.01奈米～10奈米）。
EUV也很可能是矽基半導體技術的最後一種光源。矽的共價鍵（covalent bond）長度為0.543奈米，而要形成一個塊材，至少也要有10幾20個原子，否則介面的效應就會嚴重影響電子於其中的行徑。13.5奈米光的解析度以及應有的工程努力如加大數值孔徑等—最多再加上多重曝光—要處理這樣的臨界尺寸儘夠用了。
所以上海微電子的專利的權利請求（patent claim）主要在光源之外的系統。至於原型機或量產機型的交付，沒有官方宣布或較正規新聞。
2024年12月30日哈爾濱工業大學因「放電等離子體極紫外光刻光源」工作獲得中國黑龍江省的科技創新成果轉化大賽的一等獎。這獎只是地方獎項，能引起後續新聞報導自然是因為它牽涉到EUV的光源產生。
它產生光源的方式與前述的以CO2雷射來離子化圓盤鍚滴粒，藉以產生13.5奈米光源的工作方式—雷射產生電漿（Laser-Produced Plasma；LPP）不同，它是施加高電壓藉以離子化鍚滴粒產生13.5奈米光源，此種方法稱放電產生電漿（Discharge-Produced Plasma；DPP）。
報導中說它產生的線寬較窄（narrow linewidth）—也就是所有光的波長較集中於13.5奈米、功耗較低。二者說法都有誤導之嫌。LPP與DPP產生的EUV光都不是相干的（coherent）。如果硬要比較的話，LPP產生的光線寬較窄，但二者均可以經濾光器（filter）將線寬控制在可接受範圍內。
而DPP的原始功耗較低，恰恰好成為當初與LPP競爭成為EUV光源候選人時未能雀屏中選的主要原因。
在相同的能源轉換效率（energy conversion efficiency）條件下，光源較高的功率輸出代表較強的光亮度（light luminosity），可以用較短的時間完成曝光，提高曝光機吞吐量。DPP EUV能量的提升（scale up）較為困難，因此用來當量產機台的光源挑戰也更大。
最後是在2025年3月在《中國激光》期刊上中國中科院上海光學精密機械研究所由林楠領導團隊所發表的〈1um激光激發固體Sn靶等離子體EUV幅射特性實驗研究〉。
林楠曾服務於ASML光源團隊，對此題目的產業商業化考慮應該十分熟悉。
文章中的1微米固態雷射（solid state laser）使用的就是前述用來將鍚滴粒打成盤狀的Nd:YAG雷射。
固態雷射由於其體積較緊緻（compact）、電光轉換效率（electrical-to-optical conversion rate）較高（~20%），而且目前輸出功率已達千瓦級，未來可能可以提升至萬瓦級，有望取代CO2雷射，成為驅動EUV的主要雷射。
文中指實驗的能量轉換效率已達3.42%，若用已商業化的1kW固態雷射，已可來做曝光驗證、光罩檢測（mask inspection）等工作，並且在一定條件下，進一步用於先進節點的臨界尺度以及疉加精度的量測。也就是說，這是一個未來EUV機台的研究起始點。
產業此時的現實考慮是從CO2雷射波長10.6微米轉換成Nd:YAG雷射波長1微米對於光源次系統是一個全新的轉換，所有的工程工作必須重新來過，而且CO2雷射用於LPP EUV商業化已久，目前的成本遠低固態雷射的。
所以這個工作更傾向於對未來可能發展方向的研究準備，對於目前的先進製程的突破，短期間內是使不上力的。
近期的這些報導距離真正的工程實施都有相當的距離，進步也比較片面。
一個EUV曝光機包括EUV光源、光學系統、真空系統、光罩版台及夾具（reticle stage and clamping）、晶圓台（wafer stage）、熱管理（thermal management）、計量和感測器（metrology and sensors）、控制電子設備（control electronics）以及軟體及韌體（firmware），大大小小的零組件計100,000個以上，其中很多零件是專為EUV機台量身定製的。建立此一龐大、複雜、精確的供應鏈隊伍的難度，可能更甚於對單一技術課題的突破，我認為這是中國在發展自有曝光機的最大挑戰。
