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高功率終端應用驅動SiC元件全面進化
隨著電動車與高效率工控系統對功率密度與能源轉換效率的要求日益嚴苛，全球SiC功率元件市場進入性能與可靠度並重的新階段。現階段650V等級產品設計聚焦於降低導通電...
目錄
- SiC加速電動車發展 充電時間縮短、能源效率再進化
- NVIDIA推進800V HVDC 業者布局SiC與GaN元件
- SiC元件性能重點在平衡導通損耗、開關損耗與EMI抑制
- 70mΩ級SiC由歐系領跑高頻效能 美日聚焦高溫可靠
- 50mΩ級SiC MOSFET 歐系業者憑低損耗技術領先 日系業者以可靠性與壽命長差異化突圍
- 平面型成熟穩定、溝槽型效率領先 JFET展現高壓潛力
- 溝槽型結構逐漸成為SiC MOSFET主流
- SiC MOSFET大多採用TO與D-PAK封裝方式
- SiC各業者技術水平相當 市佔變化不大
- 高功率終端應用驅動SiC元件全面進化
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