CoolMOS是英飛凌註冊商標的矽基板的功率元件，因為比較起傳統的MOS功率元件，CoolMOS具有較低的導通電阻，所以在做電源轉換上有著較高的轉換效率，也因此比較不發熱，故稱其為Cool。
除了CoolMOS之外，英飛凌最近也一連串推出了CoolGaN以及 CoolSiC，第三代半導體的功率元件，並完成商標的註冊，同樣地彰顯其較不發熱的特性。
CoolMOS事實上就是一般通稱的Superjunction MOS(大陸將其翻譯為超結，結就是junction的意思)。功率元件在特性上有兩項重要的指標，其一是在元件導通時的電阻，另一項就是元件在逆向偏壓時，最大的崩潰電壓。
導通電阻越低，代表元件的工作效率越好；而崩潰電壓越高，則元件可以操作在更高的偏壓之下，在現有的電力系統，當然是希望操作電壓越高越好，如此可以減低系統的負載電流。
但是在實際功率元件的操作上，這兩項指標是互為牴觸的，也就是想要降低元件的導通電阻，所付出的代價就是元件的崩潰電壓會降低，而電阻R是崩潰電壓V的2.5次方。換言之，想要增加一倍的崩潰電壓，導通電阻會增加約4.5倍。
功率元件的導通電阻及崩潰電壓，係決定於功率元件內部的drift region(漂移區)。漂移區越長，則在逆偏時能承受越高的電壓，但在順偏導通時卻會造成較高的電阻。
在一般的功率元件，P-N的接面都是存在於水平的方向，而電流是重質流動的。因此當外加偏壓逆偏時，電場是分布於元件垂直的方向，而此內在的電場會隨著漂移區的距離越遠離而下降。
至於英飛凌的CoolSiC，其元件結構事實上就是trench(溝槽式) MOS，這在矽基板的MOS上已大量地被使用，尤其是降低其元件的導通電阻。但在SiC基板上的應用，仍需克服諸多在元件製作上的挑戰，尤其是閘極(gate)氧化層可靠度的驗證。
二十多年前當我在大學教書時，邀請了陳院士來台灣講授半導體功率元件，這是他第一次來台。他一抵達就表達希望能去慈湖蔣公陵寢謁陵，原來在抗戰時陳院士在重慶念小學，當時蔣公曾擔任過學校的校長，因此對於蔣公有著深層的感念。
曾任中央大學電機系教授及系主任，後擔任工研院電子光電所副所長及所長，2013年起投身產業界，曾擔任漢民科技策略長、漢磊科技總經理及漢磊投資控股公司執行長。
