根據 DIGITIMES 最新研究報告指出，隨著AI推動 800G 與 1.6T 高速傳輸世代，矽光子（Silicon Photonics, SiPh）正推動光模組封裝邁向半導體化製程。DIGITIMES預估，全球光模組市場規模將自 2025 年的 126 億美元擴增至 2030 年的 454 億美元；產品結構由 400G 加速轉向 800G，1.6T 自 2026 年起正式放量，3.2T 則預計於 2028 年後接棒。然而，伴隨高速傳輸世代交替，核心關鍵零組件面臨材料供給限制，預估 2026 年全球低差排密度（EPD）雷射級磷化銦（InP）有效產能與需求缺口將超過 7 成，供需失衡現象將直接影響高階模組出貨節奏，掀起全球光通訊供應鏈新一輪戰略資源卡位戰。

DIGITIMES 分析師許凱崴認為，光模組架構主流已由分立元件轉為矽光子整合。矽光子技術將調變器、光偵測器、分光、波導與耦合整合於單一矽光子積體電路（PIC），光元件由 24 個以上收斂為 1 顆 PIC 加上 2～4 顆連續波（CW）雷射，並以 CMOS 成熟製程晶圓級量產，擴產跟著晶圓代工節奏走。惟「矽不發光」的物理限制，光源仍須外掛 InP，矽光子滲透率提高反而拉動更多 InP 需求。在此架構下，技術瓶頸由元件製造難度上移至最前端材料供給，促使國際大廠紛紛改以入股或購併等策略性投資提前鎖定上游產能。

在市場與競爭態勢方面，光模組技術規格升級將考驗上游業者的量產能力。許凱崴指出，光模組從 400G 演進至 3.2T 皆維持 8 通道設計，規格壓力集中在每通道翻倍至 200G/lane 的電吸收調變雷射（EML）。由於 EML 材料結構複雜且波長對頻公差極窄，量產初期良率一度落在 15% 區間，加上世代週期由 4 年壓縮至 2 年，上一代良率尚未完全跨越學習曲線，下一代規格已至，導致 200G EML 裸芯價格自 5～7 美元調整至每顆 20～25 美元，全球交期已排至 2027 年。目前全球上游高階 InP 基板更逾 9 成由住友電工、AXT 與 JX 金屬三家掌握。台系供應鏈雖在磊晶、雷射代工、先進封測及設備展現優勢，惟最前端 InP 基板與可插拔 PIC 晶圓代工兩處仍屬斷點。

展望未來，許凱崴表示  2026 年後光通訊產業的競爭本質在於「供給面量產節奏」與「架構過渡期的多軌並行」。儘管光引擎朝向 ASIC 靠攏的共同封裝光學（CPO）已成共識，但在標準協議、光纖連接架構與可拆卸維護三大關鍵尚未齊備前，資料中心高速互連仍以可插拔光模組為出貨主力。許凱崴認為，具備高度彈性以策略性投資鎖定關鍵雷射產能、並深化跨環節生態系整合的系統業者，將能突破上游材料瓶頸，在此波技術過渡期確立關鍵競爭優勢。